Renesas 異步 SRAM 采用高性能、高可靠性 CMOS 技術打造而成。 這種與創新的電路設計技術相結合,可為高速異步 SRAM 內存需求提供經濟高效的卓越解決方案。 使用了全靜態異步電路,運行時無需時鐘或刷新。 Renesas 采用行業標準的封裝選項,利用符合 RoHS 6/6 標準(綠色)的封裝提供異步 SRAM。

關于異步 SRAM (Async SRAM)

異步 SRAM(又名異步靜態隨機存取存儲器)是一種使用靜態方法存儲數據的存儲器,只要器件有電源供應,數據即可保持不變。 這種存儲器與需要不斷刷新存儲器中存儲數據的 DRAM(動態 RAM)有所不同。

由于 Async SRAM 以靜態方式存儲數據,因此相比 DRAM 而言速度更快且功耗更低。 另一方面,SRAM 采用更復雜的電路拓撲構建而成,因此相比 DRAM 而言密度更低且生產成本更高。 因此,DRAM 通常被用作個人電腦主存儲器,而異步 SRAM 則通常被用于較小的存儲器應用,例如 CPU 高速緩沖存儲器、硬盤驅動器緩沖器、網絡設備、消費電子產品和設備。 同步 SRAM 使用時鐘進行讀寫,而異步 SRAM 則通常由異步信號進行控制。

選擇異步 SRAM 的關鍵參數包括:

  • 密度:這是指異步 SRAM 將保留在其存儲器中的位數。 Renesas 可提供最高達 4 MB 的規格。
  • 總線寬度:用于讀取和寫入存儲器的“通道”數量。 Renesas 可提供 8 位和 16 位兩種選擇。
  • 核心電壓:向 Async SRAM 供電的電源電壓。 這通常由系統中的電源軌決定,并往往會對讀取和寫入存儲器所需的 I/O 電壓產生影響。 Renesas 可提供標準的 5 V 和 3.3 V 兩種選擇。
  • I/O 電壓:用于數據輸入和輸出的電壓,在某些器件中該電壓與核心電壓無關。
  • 存取時間:讀取或寫入存儲器所需的時間。 理想情況下,異步 SRAM 的存取時間應應足夠快,從而與 CPU 同步。 如果不同步,CPU 將浪費一定數量的時鐘周期,從而導致速度變慢。 Renesas 可提供低至 10 納秒的存取時間。

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