Renesas 是市場領先的雙端口 RAM 供應商,可將系統設計經驗與高性能電路及多端口 SRAM 技術專業知識相結合,打造性能優異的同步和異步雙端口和四端口存儲器產品。

Renesas 的同步雙端口 SRAM 器件是一種帶有時鐘式輸入和輸出并用于數據、地址和控制功能的存儲器。 這些 DPRAM 可通過兩個端口上的完全同步操作從兩條總線同時訪問單個靜態 SRAM 存儲器位置。

  • DPRAM 可增加帶寬 (~2x SRAM)
  • 與替代解決方案相比,DPRAM 可縮短上市時間
  • DPRAM 可降低設計復雜性

Renesas DPRAM 產品具有同步存取功能,可為設計人員提供大量仲裁方法,從而避免沖突和系統等待狀態。 信號令牌傳遞、軟件仲裁和片上硬件仲裁等功能可幫助設計人員為應用選擇最有效的 DPRAM。

Renesas 的雙端口 SRAM 采用 2.5V 至 5V I/O 電壓、行業標準的綠色封裝(符合 6/6 RoHS 標準)和標準封裝,以及商業、工業和軍事級別。 Renesas 不斷努力降低高性能雙端口 SRAM 解決方案的成本,將繼續保持半導體行業中雙端口 SRAM 的領先供應商地位。

關于雙端口 SRAM (DPRAM)

雙端口 SRAM 存儲器(也稱為 DPRAM)是一種靜態隨機存取存儲器,支持存儲器內不同地址的多個同步讀取或寫入。 這種存儲器與一次只能訪問一個的單端口存儲器有所不同。 該功能的主要優勢在于性能改善,因為 DPRAM 在每個時鐘周期可讀/寫兩個存儲器單元,而不是僅僅一個。

雙端口 SRAM 的晶體管級架構使用八晶體管基本存儲單元,而單端口 RAM 則使用一個六晶體管基本存儲單元。 雖然這通常會增加管芯尺寸,但 Renesas 的同步 SRAM 解決方案將得到優化,并采用非常緊湊的封裝。

選擇雙端口 SRAM 的關鍵參數包括:

  • 存儲器密度:這是指 DPRAM 將保留在其存儲器中的位數。 Renesas 可提供最多達 36 MB 的規格。
  • 總線寬度:用于讀取和寫入雙端口 SRAM 的“通道”數量。 Renesas 提供所有常用配置。
  • I/O 頻率: 時鐘信號支持的頻率。 Renesas 可支持高達 200 MHz 的頻率。
  • 輸出類型: 存儲器數據從 DPRAM 輸出的方式。 Renesas 可提供流入式和流水線式兩種選項。
  • 核心電壓:向雙端口 SRAM 供電的電源電壓。 這通常由系統中的電源軌決定。
  • I/O 電壓:?用于數據輸入和輸出的電壓,在某些設備中該電壓與核心設備無關。

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